LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子运动缓慢和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难溶金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

产品特点：
◆主机为水平1-4管炉系统构架，能独立完成不同的工艺或相同工艺

◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、阀门等动作进行全自动控制
◆采用悬臂式或软着陆式，操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件采用进口器件，确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管），流量采用进口质量流量计控制（MFC）
◆工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和可靠性
◆控温精度高，温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命

LPCVD主要技术指标
◆工作温度：300～1000℃
◆适应硅片尺寸：2～6英寸
◆装片数量：100～200片/管
◆工艺管数量：1～4管（可选择）
◆恒温区长度： 1000mm±1℃（热壁式，可形成温度梯度）
◆极限真空度： 0.14 Pa（约10mtorr）
◆工作真空度： 10 ～ 100Pa可调
◆淀积膜均匀性：片内≤±3%
◆控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）
◆气源系统：进口阀管件、自动轨道焊接
◆典型工艺（仅供参考）：
①氮化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）
参考工艺类型： 3 NH₃+4SiH₄ → Si₃N₄+12H₂ ……
②多晶硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）
参考工艺类型： SiH₄ → Si+2H₂ ……
③ 二氧化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）
参考工艺类型： Si(OC2H5)₄ → SiO₂+ 4C₂H₄+2H₂O （ DCS/N₂O 等） ……
PSG: TEOS-O₂ 体系， + 磷烷（亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷）
BPSG: 在 PSG 中加入 B₂H₆ （硼烷）或硼酸三甲酯
---- 薄膜淀积工艺（相应的掺杂 - 仅供参考，具体根据客户的情况作相应的调整）。