程控扩散炉是半导体器件及大规模集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种热加工设备

产品特点：
◆主机为水平一至三管炉系统构架，能独立完成不同的工艺或相同工艺
◆仪表控制系统，对炉温、气体流量、阀门等动作进行自动控制
◆关键部件采用进口器件，确保设备的高可靠性
◆控温精度高，温区控温稳定性好；
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命

扩散炉主要技术指标
1、工艺说明
1.1工艺：氧化、扩散、合金、退火等
1.2氧化：干氧工艺，湿氧工艺（去离子水）
1.3扩散：硼扩、磷扩（液态源、固态源等）

2、系统组成：主机（炉体、石英/SiC管、功率组件等)、净化工作台、气路气源系统（气源柜）、仪表控系统等组成

3、送片方式：手动送片/自动送片

4、扩散炉配置（可选）：
4.1仪表控制/触摸屏控制
4.2工艺管（水平结构）：1-3管
4.3工艺规格：2~6英寸晶圆
4.4恒温区长度：1100-250mm
4.5晶圆装载：推拉式（石英舟车）
4.6工作台：有净化/无净化

5、扩散炉主要技术参数：
5.1工作温度：200～1300℃
5.2加热体控制点：3/5点
5.3炉体恒温区：110mm-200mm
5.4恒温区精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
5.5单点温度稳定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6最大可控升温速度：15℃/min
5.7最大降温速度：5℃/min（900～1300℃）
5.8供电：三相五线，380VAC/50HZ